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                                這是描述信息
                                 99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
                                 氮化鋁基板
                                氮化鋁基板
                                ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
                                 99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
                                 99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                99.6%氧化鋁陶瓷基板
                                ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
                                 氮化鋁生瓷帶
                                氮化鋁生瓷帶
                                 氧化鋁白瓷
                                氧化鋁白瓷
                                 氧化鋁黑瓷
                                氧化鋁黑瓷
                                 氮化鋁基板
                                氮化鋁基板
                                ◎薄膜電路用陶瓷基片  1、物性指標  2、基片尺寸  基片典型尺寸:  3、基片厚度  基片厚度0.1-3mm,典型厚度為0.254、0.381、0.508、0.635。即燒基片厚度公差為±10%?! ?、技術等級
                                企業介紹
                                企業介紹

                                Growth process

                                發展歷程

                                • 2019年5月成立,注冊資金3032萬元
                                • 2020年1月14日,裝修完成
                                • 2020年6月,投產

                                 

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                                第五屆“中國創翼”創業創新大賽四川賽區選拔賽

                                第五屆“中國創翼”創業創新大賽四川賽區選拔賽

                                新聞中心 發布時間 : 2022-07-15 11:16:58
                                四川六方鈺成電子科技有限公司參加第五屆“中國創翼”創業創新大賽四川賽區選拔賽,在激烈的競爭中榮獲“制造業組三等獎”
                                ?劉志輝博士:99.6%氧化鋁基板及薄膜金屬化(報告)

                                ?劉志輝博士:99.6%氧化鋁基板及薄膜金屬化(報告)

                                新聞中心 發布時間 : 2022-07-13 08:50:23
                                6月28-30日在鄭州舉辦的“2022年全國氧化鋁粉體與制品創新發展論壇(第六屆)”,粉體圈邀請了來自四川六方鈺成電子科技有限公司的技術總監劉志輝博士,為大家帶來報告“99.6%氧化鋁基板及薄膜金屬化”,報告將分享六方鈺成在99.6%氧化鋁基板制造及薄膜金屬化的研發生產上沉淀多年的經驗
                                社會責任

                                技術支持

                                08-20

                                高純碳化硅粉體合成方法研究現狀綜述

                                碳化硅作為第三代半導體的代表材料之一,適合于制作高溫、高頻、抗輻射、大功率和高密度集成的電子器件。
                                08-20

                                單層芯片電容的制備方法

                                單層芯片電容被廣泛應用于電子對抗、雷達和衛星通訊等方面,具有量大面廣的特點。
                                08-05

                                ?輸入電壓檢測安全保護功能的前提下空載功耗仍然能夠小于30mW

                                采用BiCDMOS高耐壓工藝,在內置高邊MOSFET(非同步整流型*4)的非隔離型DC/DC轉換器IC中,實現了業內超高的80V耐壓等級,從而可以使安全工作范圍更寬?! ∨c同等輸出電流的普通產品相比,耐壓成功地提高了約20%,不僅在5G通信基站和服務器等的48V主電源系統中,而且在電池日益大型化的電動自行車和電動工具的60V電源系統中,都擁有足夠的余量應對突發性的浪涌電壓,因此有助于提高應用產品的

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                                發布時間:2020-12-07 18:30:37

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